LED外延片、硅、碳化硅、芯片、氮化镓外延片、半导体外延片、激光外延片、单晶硅外延片等。
电阻变化率、厚度变化、过渡区宽度检测、电阻率检测、掺杂元素测试、量子效率测试、径向电阻率测试、电阻率允许偏差、晶体完整性、表面金属测试、表面/背面质量检测等。
参考周期:常规测试7-15工作日,加急测试5个工作日。
GB/T 14139-2019硅外延片
GB/T 12964-2018硅单晶抛光片
GB/T 35310-2017200mm硅外延片
GB/T 14015-1992硅-兰宝石外延片
GB/T 30854-2014LED发光用氮化镓基外延片
GB/T 37053-2018氮化镓外延片及衬底片通用规范
GB/T 30653-2014Ⅲ族氮化物外延片结晶质量测试方法
GB/T 30654-2014Ⅲ族氮化物外延片晶格常数测试方法
GB/T 30655-2014氮化物LED外延片内量子效率测试方法
GB/T 35308-2017太阳能电池用锗基Ⅲ-Ⅴ族化合物外延片
GB/T 24575-2009硅和外延片表面Na、Al、K和Fe的二次离子质谱检测方法
T/ICMTIA SM006-2021集成电路线宽65nm-14nm逻辑工艺用300mm P/P-型硅外延片
DL/T 2310-2021电力系统高压功率器件用碳化硅外延片使用条件
SJ 21536-2018微波功率器件及集成电路用砷化镓外延片规范
SJ 21534-2018微波功率器件用氮化镓外延片规范
SJ 21535-2018电力电子器件用碳化硅外延片规范
T/IAWBS 002-2017碳化硅外延片表面缺陷测试方法
SJ 20514A-2018微波功率晶体管用硅外延片规范
SJ 21493-2018碳化硅外延片表面缺陷测试方法
SJ/T 11471-2014发光二极管外延片测试方法
SJ/T 11470-2014发光二极管外延片
SJ 3242-1989砷化镓外延片
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