外延层检测

关键字:外延层检测
所在栏目:材料检测实验室
发布时间:2022-07-06
信息来源:北检院
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北检院实验室进行的外延层检测,会为您提供载流子浓度、磨角染色法等检测服务,并出具严谨、合规、标准的第三方检测报告。

检测范围

硅、砷、碳化硅、异质、电力电子外延层等。

检测项目

厚度、浓度、尺寸、完整性检测、表面缺陷、衍射强度、衍射角、扩散厚度、结晶质量、半峰宽测试、载流子浓度、摇摆曲线测试、堆垛层错尺寸法、磨角染色法、电容、电压、直排四探针法、腐蚀性能、堆垛层错尺寸检测等。

标准参考

GB/T 8758-2006砷化镓外延层厚度红外干涉测量方法

GB/T 11068-2006砷化镓外延层载流子浓度电容-电压测量方法

GB/T 14141-2009硅外延层、扩散层和离子注入层薄层电阻的测定 直排四探针法

GB/T 14142-2017硅外延层晶体完整性检验方法 腐蚀法

GB/T 14146-2021硅外延层载流子浓度的测试 电容-电压法

GB/T 14847-2010重掺杂衬底上轻掺杂硅外延层厚度的红外反射测量方法

GB/T 37466-2019氮化镓激光剥离设备

SJ 21493-2018碳化硅外延片表面缺陷测试方法

SJ 21535-2018电力电子器件用碳化硅外延片规范

YS/T 14-2015异质外延层和硅多晶层厚度的测量方法

YS/T 15-2015硅外延层和扩散层厚度测定 磨角染色法

YS/T 23-2016硅外延层厚度测定 堆垛层错尺寸法

YS/T 679-2018非本征半导体中少数载流子扩散长度的测试 表面光电压法

T/CASAS 004.1-20184H碳化硅衬底及外延层缺陷术语

T/CASAS 004.2-20184H碳化硅衬底及外延层缺陷图谱

T/IAWBS 003-2017碳化硅外延层载流子浓度测定_汞探针电容-电压法

T/IAWBS 007-20184H 碳化硅同质外延层厚度的红外反射测量方法

以上是关于外延层检测相关介绍,如果您还有其他疑问,可以咨询在线工程师提交您的需求,为您提供一对一解答。

注意:因业务调整,暂不接受个人委托测试,望谅解(高校、研究所等性质的个人除外)。

服务优势

1、拥有完善的检测服务体系,科学、严谨、认证。

2、我院对已出过的报告负责。

3、提供编写MSDS报告、TDS报告服务。

4、检测服务领域广,可参考标准多(国标、企标、通标、工标、国际标准等)。

5、周期短,费用低,方案全。

6、支持定制化试验方案,数据更加科学准确。

7、全国上门取样/现场见证试验。

8、资质全,团队强,后期服务体系完善

报告作用

1、工业问题诊断:包括失效分析、科学诊断、数据验证等,可以快速检测出产品问题,尽快止损;

2、其他鉴定服务:协助相关部门证据链补充、证物材料补充、质量检测、样品分析;

4、研发使用:试验经验丰富,试验设备多,为科研工作提供数据支持;

3、高校论文:提供研究性实验数据、分析服务,给论文提供科学依据;

5、投标:检测周期短,准确性高,出具的第三方检测报告合法合规;

7、控制材料质量,进行产品内控,降低成本、风险。

试验流程

1、与工程师沟通,确定具体的试验方案,我方报价;

2、双方签订委托书,我方接收样品;

3、进行细节沟通,我方进行试验测试;

4、试验测试完成,出具检测测试报告;

5、委托完成,我方提供售后服务。

检测流程

检测仪器(部分)

实验仪器

实验仪器-手机

合作客户(部分)

合作客户

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