单晶拉制检测

检测项目

1. 晶体直径偏差：轴向直径波动范围±0.5mm(基于ASTM F1723标准)

2. 位错密度测定：通过腐蚀法测量表面缺陷密度≤500/cm²(依据GB/T 4058-2017)

3. 氧含量分析：采用FTIR光谱法检测氧浓度8-18 ppma(参照SEMI MF1188)

4. 电阻率均匀性：四探针法测量径向偏差≤5%(执行GB/T 1551-2009)

5. 晶向偏差检测：X射线衍射法测定偏离角≤0.5°(按ISO 14707:2020实施)

检测范围

1. 半导体级单晶硅棒(Φ200-450mm)

2. 砷化镓(GaAs)激光器用晶圆

3. 蓝宝石衬底(Al₂O₃)晶体

4. 碳化硅(SiC)功率器件基板

5. 磷化铟(InP)光通信衬底材料

检测方法

1. ASTM F1723-2018：单晶硅直径测试规程

2. ISO 14707:2020：晶体取向X射线测定法

3. GB/T 1551-2009：硅单晶电阻率测试方法

4. GB/T 1558-2021：硅中氧含量的红外吸收测量

5. SEMI MF1723-1109：砷化镓位错密度腐蚀检测

6. JIS H 0605:2019：晶体生长条纹观测规范

检测设备

1. X射线衍射仪(PANalytical X'Pert3 MRD)：晶向偏离角测量精度±0.01°

2. 激光测径系统(KEYENCE LS-9000)：实时直径监测分辨率0.1μm

3. 傅里叶红外光谱仪(Thermo Scientific Nicolet iS50)：氧含量检测限0.05ppma

4. 四探针电阻率测试仪(Lucas Labs Pro4-4400)：测量范围0.0001-100Ω·cm

5. 金相显微镜(Olympus BX53M)：位错密度分析放大倍数1000X

6. 高温霍尔效应仪(Lake Shore 8404)：载流子浓度测试温度范围77-800K

7. X射线荧光光谱仪(Shimadzu EDX-8000)：金属杂质检出限0.1ppm

8. 原子力显微镜(Bruker Dimension Icon)：表面粗糙度Ra≤0.1nm

9. 热场发射扫描电镜(Hitachi SU5000)：晶体缺陷分析分辨率1nm

10. 低温光致发光谱仪(Horiba LabRAM HR Evolution)：缺陷态密度测试波长325nm

北检(北京)检测技术研究院【简称：北检院】

报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期：7~15工作日，可加急。

资质：旗下实验室可出具CMA/资质报告。

标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试：支持定制化试验方案。

售后：报告终身可查，工程师1v1服务。

以上是关于单晶拉制检测相关介绍，如果您还有其他疑问，可以咨询在线工程师提交您的需求，为您提供一对一解答。

注意：因业务调整，暂不接受个人委托测试，望谅解（高校、研究所等性质的个人除外）。

服务优势

1、拥有完善的检测服务体系，科学、严谨、认证。

2、我院对已出过的报告负责。

3、提供编写MSDS报告、TDS报告服务。

4、检测服务领域广，可参考标准多（国标、企标、通标、工标、国际标准等）。

5、周期短，费用低，方案全。

6、支持定制化试验方案，数据更加科学准确。

7、全国上门取样/现场见证试验。

8、资质全，团队强，后期服务体系完善

报告作用

1、工业问题诊断：包括失效分析、科学诊断、数据验证等，可以快速检测出产品问题，尽快止损；

2、其他鉴定服务：协助相关部门证据链补充、证物材料补充、质量检测、样品分析；

4、研发使用：试验经验丰富，试验设备多，为科研工作提供数据支持；

3、高校论文：提供研究性实验数据、分析服务，给论文提供科学依据；

5、投标：检测周期短，准确性高，出具的第三方检测报告合法合规；

7、控制材料质量，进行产品内控，降低成本、风险。

试验流程

1、与工程师沟通，确定具体的试验方案，我方报价；

2、双方签订委托书，我方接收样品；

3、进行细节沟通，我方进行试验测试；

4、试验测试完成，出具检测测试报告；

5、委托完成，我方提供售后服务。

检测仪器(部分)

合作客户(部分)

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