1. 温度梯度分析:测量轴向温度梯度(0.5-10℃/mm)与径向温差(±0.2℃)
2. 熔炼速率测定:控制范围0.1-50mm/h,精度±0.05mm/h
3. 杂质浓度分布:采用SIMS检测B、P、As等痕量杂质(检出限1E12 atoms/cm³)
4. 晶格缺陷密度:XRD测定位错密度(10³-10⁶ cm⁻²)及孪晶比例
5. 热稳定性测试:DSC分析材料熔点偏移量(±0.5℃)及相变焓值
1. 高纯金属:包括6N级锗、硅、钼等单晶材料
2. 半导体化合物:GaAs、InP等III-V族化合物晶体
3. 超导材料:NbTi合金、YBCO氧化物超导体
4. 核工业材料:锆合金包壳管、核级石墨
5. 光电材料:CdTe薄膜、LiNbO₃非线性晶体
1. ASTM E1225:稳态纵向热流法测定热导率
2. ISO 17262:半导体材料电阻率四探针测试法
3. GB/T 4325:金属材料高温热膨胀系数测定
4. ASTM F121:区熔硅单晶中氧含量测定规程
5. GB/T 26008:难熔金属化学分析通则
1. 区域熔炼炉(ZM-2000D):多温区独立控制,最高工作温度2200℃
2. 二次离子质谱仪(SIMS 1280):空间分辨率50nm,质量分辨率>10000
3. X射线衍射仪(Bruker D8 ADVANCE):Cu靶Kα辐射(λ=1.5406Å)
4. 激光热导仪(LFA 467 HyperFlash):导热系数测量范围0.1-2000 W/(m·K)
5. 四探针测试仪(Loresta-GP MCP-T610):电阻率测量范围10⁻⁴-10⁶ Ω·cm
6. 场发射电镜(FEI Nova NanoSEM 450):分辨率1nm@15kV
7. 差示扫描量热仪(DSC 214 Polyma):温度精度±0.1℃
8. 辉光放电质谱仪(GD-MS ELEMENT GD):检出限达ppb级
9. X射线荧光光谱仪(ZSX Primus IV):元素分析范围Be-U
10. 原子力显微镜(Bruker Dimension Icon):扫描范围90μm×90μm
报告:可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。
检测周期:7~15工作日,可加急。
资质:旗下实验室可出具CMA/资质报告。
标准测试:严格按国标/行标/企标/国际标准检测。
非标测试:支持定制化试验方案。
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