区域精炼检测

检测项目

1. 纯度分析：采用辉光放电质谱法(GDMS)测定金属材料中痕量杂质元素(B, C, O, N等)，检出限达0.01-1 ppb

2. 晶格缺陷表征：通过X射线衍射(XRD)分析单晶材料位错密度(＜10^3/cm²)及晶格畸变率(≤0.01%)

3. 杂质分布图谱：利用二次离子质谱(SIMS)进行三维元素分布扫描(横向分辨率0.1μm)

4. 热稳定性测试：差示扫描量热法(DSC)测定熔区移动温度梯度(精度±0.5℃)

5. 电学性能验证：四探针法测量电阻率(0.1-10000 Ω·cm范围)，霍尔效应仪测定载流子浓度(10^10-10^20 cm^-3)

检测范围

1. 半导体级多晶硅：纯度要求≥99.9999999%(9N)，应用于集成电路衬底材料

2. 核级锆合金：氧含量≤800 ppm，氢含量≤25 ppm

3. 高纯金属单晶：包括钨(W)、钼(Mo)、铌(Nb)等难熔金属

4. 稀土氧化物晶体：氧化钇(Y₂O₃)、氧化镧(La₂O₃)等光学材料

5. 超导材料：铌钛(Nb-Ti)、钇钡铜氧(YBCO)等合金体系

检测方法

1. ASTM E1504-11：辉光放电质谱法测定高纯金属中痕量杂质

2. ISO 20283:2017：电子背散射衍射(EBSD)晶体取向分析

3. GB/T 13301-2019：金属材料电阻率测量方法

4. ISO 17025:2017：实验室质量体系通用要求

5. GB/T 4336-2016：火花源原子发射光谱分析方法

6. ASTM F42-20：半导体材料霍尔效应测试标准

检测设备

1. Thermo Fisher ELEMENT GDMS：辉光放电质谱仪，配备双聚焦磁式质量分析器

2. Bruker D8 ADVANCE XRD：铜靶X射线源(λ=1.5406Å)，测角仪精度0.0001°

3. Cameca IMS 7f SIMS：液态金属离子枪(Ga+源)，质量分辨率＞20,000

4. Netzsch STA 449 F5 Jupiter：同步热分析仪(DSC-TG)，温度范围RT-1600℃

5. Agilent 5500 AFM：原子力显微镜，扫描范围100μm×100μm×10μm

6. Lake Shore 8404 Hall System：低温霍尔效应仪(77-400K)，磁场强度1T

7. Oxford Instruments AZtec HKL EBSD：电子背散射衍射系统，空间分辨率50nm

8. Keysight B2902A SMU：精密源表模块，电流分辨率10fA

9. PerkinElmer Optima 8300 ICP-OES：电感耦合等离子体发射光谱仪，波长范围165-782nm

10. ZEISS Crossbeam 550 FIB-SEM：聚焦离子束扫描电镜，束流范围1pA-50nA

北检(北京)检测技术研究院【简称：北检院】

报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期：7~15工作日，可加急。

资质：旗下实验室可出具CMA/资质报告。

标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试：支持定制化试验方案。

售后：报告终身可查，工程师1v1服务。

以上是关于区域精炼检测相关介绍，如果您还有其他疑问，可以咨询在线工程师提交您的需求，为您提供一对一解答。

注意：因业务调整，暂不接受个人委托测试，望谅解（高校、研究所等性质的个人除外）。

服务优势

1、拥有完善的检测服务体系，科学、严谨、认证。

2、我院对已出过的报告负责。

3、提供编写MSDS报告、TDS报告服务。

4、检测服务领域广，可参考标准多（国标、企标、通标、工标、国际标准等）。

5、周期短，费用低，方案全。

6、支持定制化试验方案，数据更加科学准确。

7、全国上门取样/现场见证试验。

8、资质全，团队强，后期服务体系完善

报告作用

1、工业问题诊断：包括失效分析、科学诊断、数据验证等，可以快速检测出产品问题，尽快止损；

2、其他鉴定服务：协助相关部门证据链补充、证物材料补充、质量检测、样品分析；

4、研发使用：试验经验丰富，试验设备多，为科研工作提供数据支持；

3、高校论文：提供研究性实验数据、分析服务，给论文提供科学依据；

5、投标：检测周期短，准确性高，出具的第三方检测报告合法合规；

7、控制材料质量，进行产品内控，降低成本、风险。

试验流程

1、与工程师沟通，确定具体的试验方案，我方报价；

2、双方签订委托书，我方接收样品；

3、进行细节沟通，我方进行试验测试；

4、试验测试完成，出具检测测试报告；

5、委托完成，我方提供售后服务。

检测仪器(部分)

合作客户(部分)

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