1. 晶面夹角偏差:测量相邻晶面实际夹角与理论值的偏差范围(±0.1°~±2.0°)
2. 晶面平整度:表面粗糙度Ra值检测(Ra≤0.05μm~0.8μm)
3. 晶棱直线度:棱线偏移量测量(公差±5μm/m)
4. 晶体对称性:对称轴角度偏差(≤0.5°)
5. 表面缺陷密度:划痕/凹坑数量统计(≤3处/cm²)
1. 单晶硅材料:半导体晶圆衬底片
2. 石英晶体元件:压电谐振器与振荡器
3. 光学晶体:KDP、BBO等非线性光学晶体
4. 半导体化合物晶体:GaAs、GaN等III-V族材料
5. 人工合成宝石:立方氧化锆、合成刚玉晶体
ASTM F534-19:硅晶片几何尺寸测量规范
ISO 14707:2021 表面化学分析-辉光放电光谱法
GB/T 1555-2021 半导体单晶晶向测试方法
ISO 25178-604:2013 非接触式光学轮廓仪测量标准
GB/T 3505-2020 产品几何技术规范表面结构轮廓法
1. Taylor Hobson PGI 1240:纳米级表面轮廓仪(分辨率0.1nm)
2. Keyence VR-5000:三维扫描测量系统(精度±1μm)
3. Olympus DSX1000:数字显微镜(2000倍光学放大)
4. Bruker ContourGT-X8:白光干涉仪(垂直分辨率0.01nm)
5. Zeiss O-INSPECT 322:多传感器三坐标测量机(空间精度1.8+L/300μm)
6. Mitutoyo CRYSTA-Apex S574:影像测量系统(重复精度±0.7μm)
7. Shimadzu XRD-7000:X射线衍射仪(角度分辨率0.0001°)
8. Nikon MM-400:万能工具显微镜(二维尺寸测量精度±0.5μm)
报告:可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。
检测周期:7~15工作日,可加急。
资质:旗下实验室可出具CMA/资质报告。
标准测试:严格按国标/行标/企标/国际标准检测。
非标测试:支持定制化试验方案。
售后:报告终身可查,工程师1v1服务。
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注意:因业务调整,暂不接受个人委托测试,望谅解(高校、研究所等性质的个人除外)。
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1、工业问题诊断:包括失效分析、科学诊断、数据验证等,可以快速检测出产品问题,尽快止损;
2、其他鉴定服务:协助相关部门证据链补充、证物材料补充、质量检测、样品分析;
4、研发使用:试验经验丰富,试验设备多,为科研工作提供数据支持;
3、高校论文:提供研究性实验数据、分析服务,给论文提供科学依据;
5、投标:检测周期短,准确性高,出具的第三方检测报告合法合规;
7、控制材料质量,进行产品内控,降低成本、风险。
1、与工程师沟通,确定具体的试验方案,我方报价;
2、双方签订委托书,我方接收样品;
3、进行细节沟通,我方进行试验测试;
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5、委托完成,我方提供售后服务。