伏安特性检测

检测项目

1.正向导通电压(VF)：测量范围0.1V-10V@1mA-10A

2.反向击穿电压(VBR)：测试范围50V-3000V@漏电流≤1μA

3.漏电流(IR)：精度0.1nA@反向偏压0-100V

4.动态电阻(Rd)：计算ΔV/ΔI在指定工作点

5.温度系数：-55℃至+150℃环境下的VF漂移量

检测范围

1.半导体材料：硅(Si)、碳化硅(SiC)、砷化镓(GaAs)晶圆

2.分立器件：整流二极管、肖特基二极管、TVS二极管

3.功率器件：IGBT模块、MOSFET、晶闸管

4.光电器件：LED芯片、光伏电池单元

5.敏感元件：压敏电阻、热敏电阻、气体传感器

检测方法

1.ASTMF76-08(2020)：半导体器件标准测试方法

2.IEC60747-5：分立器件电特性测试规范

3.GB/T6571-2020：半导体器件伏安特性测试方法

4.JESD22-A115E：电子器件可靠性测试标准

5.ISO16750-2:2012：汽车电子部件环境试验要求

检测设备

1.KeysightB1505A功率器件分析仪：最大3000V/1500A测试能力

2.TektronixKeithley2450源表：1μV/100fA分辨率

3.Agilent4156C精密半导体分析仪：支持DC-IV/CV测量

4.Chroma19032功率器件测试系统：集成温控夹具

5.HiokiIM3590化学阻抗分析仪：频率范围10μHz-200kHz

6.Fluke8588A参考级万用表：8.5位测量精度

7.OmicronBode100频响分析仪：支持阻抗谱分析

8.NIPXIe-4143模块化源测量单元：多通道同步采集

9.ESPECSH-261环境试验箱：温度控制精度0.5℃

10.ThermoScientificMAP系列探针台：支持wafer级测试

北检(北京)检测技术研究院【简称：北检院】

报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期：7~15工作日，可加急。

资质：旗下实验室可出具CMA/资质报告。

标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试：支持定制化试验方案。

售后：报告终身可查，工程师1v1服务。

以上是关于伏安特性检测相关介绍，如果您还有其他疑问，可以咨询在线工程师提交您的需求，为您提供一对一解答。

注意：因业务调整，暂不接受个人委托测试，望谅解（高校、研究所等性质的个人除外）。

服务优势

1、拥有完善的检测服务体系，科学、严谨、认证。

2、我院对已出过的报告负责。

3、提供编写MSDS报告、TDS报告服务。

4、检测服务领域广，可参考标准多（国标、企标、通标、工标、国际标准等）。

5、周期短，费用低，方案全。

6、支持定制化试验方案，数据更加科学准确。

7、全国上门取样/现场见证试验。

8、资质全，团队强，后期服务体系完善

报告作用

1、工业问题诊断：包括失效分析、科学诊断、数据验证等，可以快速检测出产品问题，尽快止损；

2、其他鉴定服务：协助相关部门证据链补充、证物材料补充、质量检测、样品分析；

4、研发使用：试验经验丰富，试验设备多，为科研工作提供数据支持；

3、高校论文：提供研究性实验数据、分析服务，给论文提供科学依据；

5、投标：检测周期短，准确性高，出具的第三方检测报告合法合规；

7、控制材料质量，进行产品内控，降低成本、风险。

试验流程

1、与工程师沟通，确定具体的试验方案，我方报价；

2、双方签订委托书，我方接收样品；

3、进行细节沟通，我方进行试验测试；

4、试验测试完成，出具检测测试报告；

5、委托完成，我方提供售后服务。

检测仪器(部分)

合作客户(部分)

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