1.晶格能绝对值测定:通过Born-Haber循环计算离子晶体结合能(误差范围≤5kJ/mol)
2.结合能温度依赖性分析:测定-196℃至1500℃范围内能量变化梯度
3.离子半径影响评估:基于Shannon半径数据库进行配位数6条件下的偏差校正
4.缺陷形成能计算:采用密度泛函理论(DFT)模拟空位/间隙缺陷(精度0.01eV)
5.热膨胀系数关联性研究:同步测定晶格参数随温度变化率(分辨率0.001/℃)
1.离子晶体材料:NaCl型结构化合物、钙钛矿型氧化物
2.金属合金体系:钛基高温合金、镁锂超轻合金
3.半导体晶体:GaN、SiC等宽禁带半导体单晶
4.陶瓷材料:氧化锆基固体电解质、氮化硅结构陶瓷
5.高分子晶体材料:聚乙烯单晶、聚丙烯β晶型
1.ASTME112-13:晶粒尺寸测定与马德隆常数计算标准
2.ISO20501:2016:陶瓷材料威布尔模量统计分析方法
3.GB/T13301-91:金属材料高温焓变测量规程
4.ISO17564:2020:X射线衍射全谱拟合(Rietveld)精修规范
5.GB/T39488-2020:半导体材料位错密度测试通则
1.X'PertPROMPD衍射仪:配备高温附件(最高1600℃),精度0.0001
2.STA449F3Jupiter同步热分析仪:TG-DSC联用(μN级质量分辨率)
3.QuantumDesignPPMS-9综合物性测量系统:磁场强度9T(0.05K分辨率)
4.FEITalosF200X透射电镜:STEM模式点分辨率0.16nm
5.BrukerD8ADVANCEXRD系统:LynxEye阵列探测器(3发散狭缝)
6.NetzschLFA467HyperFlash激光导热仪:测试范围-125~1100℃
7.MalvernPanalyticalEmpyreanXRD平台:具备原位拉伸测试模块
8.ShimadzuAIM-9000红外显微镜:空间分辨率1.1μm@NA=0.8
9.TAInstrumentsQ600SDT同步热分析仪:最大升温速率100℃/min
10.OxfordInstrumentsAztecEnergyEDS系统:探测极限0.1wt%
报告:可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。
检测周期:7~15工作日,可加急。
资质:旗下实验室可出具CMA/资质报告。
标准测试:严格按国标/行标/企标/国际标准检测。
非标测试:支持定制化试验方案。
售后:报告终身可查,工程师1v1服务。
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