金属氧化物半导体场效应晶体管检测

检测项目

1.阈值电压(Vth)：测量范围30V，精度0.1mV

2.导通电阻(Rds(on))：测试电流1A-100A，分辨率1mΩ

3.栅极漏电流(Igss)：量程1nA-10μA，温度条件25℃/125℃

4.击穿电压(BVdss)：测试电压0-3000V，步进精度0.5%

5.跨导(gfs)：频率范围DC-100kHz，偏置电压0-20V

检测范围

1.硅基功率MOSFET：耐压等级60V-1200V

2.碳化硅MOSFET：工作温度-55℃-200℃

3.射频LDMOS：频率范围500MHz-3.5GHz

4.CMOS集成电路：栅氧厚度1.2nm-10nm

5.高压IGBT模块：开关频率10kHz-100kHz

检测方法

1.阈值电压测试：ASTMF617标准直流参数法

2.动态特性分析：IEC60747-8脉冲测试规程

3.热阻测量：JEDECJESD51瞬态热测试法

4.可靠性验证：GB/T4587高温反偏试验

5.失效分析：ISO14647电镜观测与能谱分析

检测设备

1.KeysightB1505A功率器件分析仪：支持3000V/1500A测试

2.TektronixDPO73304SX示波器：带宽33GHz的开关特性分析

3.ThermoFisherELITEIII探针台：支持200mm晶圆级测试

4.AgilentE4980ALLCR表：1MHz精密阻抗测量

5.CascadeSummit12000B-M：高低温(-65℃-300℃)测试系统

6.HiokiIM3590化学阻抗分析仪：栅介质完整性评估

7.FlukeTi450红外热像仪：热分布成像分辨率640480

8.Keithley2636B源表：四象限I-V曲线扫描

9.FEIHeliosG4UXFIB-SEM：纳米级结构表征

10.ESPECPL-3KPH温度循环箱：温变速率15℃/min

北检(北京)检测技术研究院【简称：北检院】

报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期：7~15工作日，可加急。

资质：旗下实验室可出具CMA/资质报告。

标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试：支持定制化试验方案。

售后：报告终身可查，工程师1v1服务。

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注意：因业务调整，暂不接受个人委托测试，望谅解（高校、研究所等性质的个人除外）。

服务优势

1、拥有完善的检测服务体系，科学、严谨、认证。

2、我院对已出过的报告负责。

3、提供编写MSDS报告、TDS报告服务。

4、检测服务领域广，可参考标准多（国标、企标、通标、工标、国际标准等）。

5、周期短，费用低，方案全。

6、支持定制化试验方案，数据更加科学准确。

7、全国上门取样/现场见证试验。

8、资质全，团队强，后期服务体系完善

报告作用

1、工业问题诊断：包括失效分析、科学诊断、数据验证等，可以快速检测出产品问题，尽快止损；

2、其他鉴定服务：协助相关部门证据链补充、证物材料补充、质量检测、样品分析；

4、研发使用：试验经验丰富，试验设备多，为科研工作提供数据支持；

3、高校论文：提供研究性实验数据、分析服务，给论文提供科学依据；

5、投标：检测周期短，准确性高，出具的第三方检测报告合法合规；

7、控制材料质量，进行产品内控，降低成本、风险。

试验流程

1、与工程师沟通，确定具体的试验方案，我方报价；

2、双方签订委托书，我方接收样品；

3、进行细节沟通，我方进行试验测试；

4、试验测试完成，出具检测测试报告；

5、委托完成，我方提供售后服务。

检测仪器(部分)

合作客户(部分)

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