1. 晶格常数测定:测量单胞边长(a, b, c)与夹角(α, β, γ),误差范围±0.001 Å
2. 原子占位率分析:确定特定原子在晶格中的占据概率(0-100%),精度±0.5%
3. 缺陷位置定位:识别空位/间隙缺陷坐标(XYZ轴),分辨率≤0.1 nm
4. 掺杂元素分布:测定掺杂浓度梯度(0.01-10 at.%),空间分辨率50 nm
5. 应变场分析:量化晶格畸变程度(εxx, εyy, εzz),灵敏度≥0.02%
1. 半导体材料:硅(Si)、砷化镓(GaAs)等III-V/IV族化合物单晶
2. 金属合金:镍基高温合金、钛铝金属间化合物
3. 功能陶瓷:压电材料(PZT)、铁电体(BaTiO3)
4. 超导材料:YBCO、MgB2等氧化物/金属间化合物
5. 纳米结构材料:量子点、二维材料(MoS2,石墨烯)
1. X射线衍射法:ASTM E1426-14(2021)、GB/T 23413-2009
2. 中子衍射法:ISO 21449:2019、GB/T 36054-2018
3. 透射电子显微镜法:ASTM F1877-2016、ISO 21363:2020
4. 扩展X射线吸收精细结构(EXAFS):ISO 17442-2:2018
5. 正电子湮没谱技术:GB/T 39498-2020
1. PANalytical Empyrean X射线衍射仪:配备高温附件(-196~1600℃)及二维探测器
2. JEOL JEM-ARM300F球差校正透射电镜:空间分辨率0.05 nm, STEM-HAADF模式
3. Bruker D8 ADVANCE中子衍射仪:波长范围0.5-5 Å, LYNXEYE XE-T探测器
4. Rigaku R-XAS Lab XAFS光谱仪:能量分辨率ΔE/E≤10-4
5. ORTEC HPGe γ能谱仪:配合22Na放射源的正电子湮没寿命测量
6. Thermo Fisher Scios 2 DualBeam FIB-SEM:三维原子探针联用系统
7. Malvern Zetasizer Nano ZSP:小角X射线散射(SAXS)模块
8. Oxford Instruments Symmetry EBSD探测器:Hough分辨率≥80
报告:可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。
检测周期:7~15工作日,可加急。
资质:旗下实验室可出具CMA/资质报告。
标准测试:严格按国标/行标/企标/国际标准检测。
非标测试:支持定制化试验方案。
售后:报告终身可查,工程师1v1服务。
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注意:因业务调整,暂不接受个人委托测试,望谅解(高校、研究所等性质的个人除外)。
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4、研发使用:试验经验丰富,试验设备多,为科研工作提供数据支持;
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